功率半导体器件

IGBT及FRD模块:

高压系列模块

简介:

  • 采用中车第4代DMOS*芯片和第5代TMOS芯片,具有低导通压降、软关断特性、正温度系数和易并联等特点。该系列产品涵盖3300V至6500V电压范围,封装和电路结构灵活多变,适用于各种并联应用场景。产品采用高热匹配的AISiC基板和AIN衬板材料封装而成,在热循环、功率循环、机械冲击等可靠性方面具有明显优势,可以满足频繁启动和长距离运行的工况需求。

产品参数:

集电级发射级电压 3300V-6500V
集电极电流 250A-1600A
最高结温℃ 125℃-150℃

应用:

已批量应用于电力机车、高速动车组、地铁等轨道交通领域和其他大功率变频器装置领域。

中低压系列模块

简介:

  • 采用中车第7代超精细沟槽芯片,具有高电流密度、低开关损耗、高工作结温等特点。采用Cu 基板,选用高性能导热材料,具有散热性能好、高电流密度、高可靠性等特点。该系列产品涵盖电流 40A 至 3600A,电压 950V 至 1700V,具备定制化调整的能力,可根据客户需求调整 IGBT 安全工作裕量、耗损分配、过载能力等特性,适应各行业应用。

产品参数:

集电级发射级电压 950V-1700V
集电极电流 40A-3600A
最高结温℃ 125℃-150℃

应用:

已批量应用于新能源风电、光伏、变频器、SVG、中频感应加热等领域

压接式系列模块

简介:

  • 采用中车第4代DMOS+、第5代TMOS芯片,具有低导通压降、低开关损耗、软关断特性等特点。该系列产品采用双面焊接和柔性压接技术,具有高压大容量、高可靠性、高过载能力等特点,可满足远距离、大容量的柔性直流输电工程的需求,满足复杂高压电磁环境适应性以及高可靠运行的要求。

产品参数:

集电级发射级电压 4500V-6500V
集电极电流 1500A-5000A
最高结温℃ 125℃-150℃

应用:

批量应用于柔性直流输电工程。

汽车系列模块

简介:

  • 采用中车第7.5代超精细沟槽芯片,具有高电流密度、低开关损耗、高工作结温等特点。采用直接水冷基板,选用高性能导热材料,该系列产品涵盖 400A 至 1200A 电流范围,单模块最大可满足 250kW 电机需求。具备低运行损耗特征,满足汽车的急速启停、陡坡爬升、高速运行、振动颠簸等工况。

产品参数:

集电级发射级电压 750V-1300V
集电极电流 400A-1200A
最高结温℃ 150℃-175℃

应用:

已批量应用于新能源电动汽车领域。

FRD系列模块

简介:

  • 采用中车第7代注入效率控制FRD,具有低导通损耗,软恢复特性,正温度系数,高工作结温等特点。该系列产品具备足够安全工作裕量和高可靠性,涵盖1200V至6500V电压范围。

产品参数:

正向峰值电压 2500V-6500V
正向平均电流 400A-1200A
最高结温℃ 125℃

应用:

轨道交通和工业领域。